CVD氣相沉積爐是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、

碳氫化（huà）合物等的熱分（fèn）解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金（jīn）屬、氧化物、碳化物等無機（jī）材料的方（fāng）法。

        這（zhè）種技術Z初是作為塗層的（de）手段而開發的，但目前，不隻應用於耐熱物質的塗層，而且應用於（yú）高純度金屬的精製、

粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特征的技術領域（yù）。

        氣（qì）相沉積爐（lú）這種技術剛開始發展時是作（zuò）為塗層的手段而開（kāi）發的，但是目前隨著發展已經不（bú）隻是應（yīng）用於耐（nài）熱物質（zhì）的塗層了，現在應該已經應用於高純度金屬的精製（zhì）、

粉末合成、半導體薄（báo）膜等，是一個還（hái）比較廣（guǎng）泛的領域。

       氣相沉積爐反（fǎn）應室的壓力、氣體的流（liú）動速率、晶片的溫度等反（fǎn）應中間起的作用都是沉積參數的變化範圍，所以考慮到（dào）沉積（jī）薄膜中的（de）變（biàn）數、以及（jí）沉積

速率決定著反（fǎn）應室的產量，反應生成的膜不僅會（huì）沉積在（zài）晶片上，也會沉積在反應室（shì）的（de）其他部件上（shàng），所以對反應室進行（háng）徹底清洗的程（chéng）度也是重要。

       氣相沉積（jī）爐是傳統的製備薄膜的技術，它的原理就是利用氣態的先驅反應物，通過原子、分（fèn）子間的化學反應，在晶片上形

成薄膜。氣相沉積能夠生產出具備高質量高純（chún）度以及（jí）高強度等優點的材料，因此在半導（dǎo）體行（háng）業很受歡迎。